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為了觀察燒結(jié)成品晶粒生長情況，氣孔率，致密性等，分析元素的摻雜等對成品性能的影響，對制得的ZnO陶瓷成品斷口進(jìn)行觀測。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈現(xiàn)多樣性生長趨勢。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

～15um，且小尺寸晶粒數(shù)量大量減少，尺寸生長比較均勻；(2)晶粒形貌大多呈現(xiàn)正多邊形或圓形生長趨勢、晶粒生長堆積緊密；總之，摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結(jié)構(gòu)上看晶粒形貌規(guī)整，結(jié)構(gòu)均勻、致密，晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙；圖晶界出現(xiàn)了大量液相熔融，且晶界較寬，而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長大受限；相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻，出現(xiàn)極大和極小顆粒。總之，隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量過多時，ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大，但摻雜量過多時會產(chǎn)生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進(jìn)一步長大。

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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優(yōu)異的一種。近年來，由于電子設(shè)備向小型化、多功能化發(fā)展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領(lǐng)域內(nèi)對壓敏電阻器的應(yīng)用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點。為了尋求一個相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學(xué)專業(yè)理論知識與實際相結(jié)合，經(jīng)文獻(xiàn)查閱，我們設(shè)計了添加劑的量依次適當(dāng)增加的四組平行實驗來進(jìn)行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結(jié)構(gòu)、研究現(xiàn)狀及壓敏電阻的性能參數(shù)，并詳細(xì)解釋了其導(dǎo)電機理。同時對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實驗和老師的指導(dǎo)得出，燒結(jié)溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個溫度下保溫2h的燒結(jié)條件。

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